NVMFS5C426NAFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:219A 參數(shù)2：VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:1.2mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

該N溝道MOSFET具備40V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時(shí)，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至1.2毫歐，可承載高達(dá)219A的連續(xù)漏極電流（ID）。其極低的導(dǎo)通電阻有助于顯著減少導(dǎo)通損耗，提升整體能效。適用于高電流、高頻率運(yùn)行的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、電機(jī)控制電路及大功率電子設(shè)備中的開(kāi)關(guān)應(yīng)用，在嚴(yán)苛電氣條件下仍能維持穩(wěn)定工作特性。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

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