IMBG65R026M2H_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤參數1：ID:73A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和73A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）低至26mΩ，顯著降低導通損耗。柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V，支持寬裕的驅動設計裕量。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關條件下仍保持優異的效率與熱穩定性，適用于高功率密度電源、服務器電源、可再生能源轉換系統及各類高效電力電子設備中的功率開關環節。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:73A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤參數1：ID:73A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢