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              IMZA65R027M1HXKSA1_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：TO-247H-4L
                                                        類別：碳化硅場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：30/管裝
                                                        參數1：ID:99A
                                                        參數2：VDSS:650V
                                                        參數3：RDON:26mR
                                                        參數4：VGS:-10/+25V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道碳化硅MOSFET具有99A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導通電阻低至26mΩ，在柵源驅動電壓范圍-10V至@5V內穩定工作。憑借碳化硅材料的優異特性，器件在高頻、高溫環境下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉換系統。其電氣參數組合使其在高電壓、大電流應用場景中具備良好的動態響應與熱穩定性。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式