NVH4L032N065M3S-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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該N溝道碳化硅MOSFET具備99A的連續漏極電流（ID）和650V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(on)）為26mΩ，柵源電壓范圍為-10V至@5V。其低導通電阻有助于降低導通損耗，寬柵壓范圍提升了驅動靈活性。碳化硅材料賦予器件優異的高溫穩定性和高頻開關能力，適用于高效率、高功率密度的電源轉換場合，如通信電源、光伏逆變系統及數據中心供電架構。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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