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              G3F45MT06L-TR-HXY_TOLLS_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TOLLS 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:2000/圓盤 參數1:ID:63A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:58mR 參數4:VGS:-10/+25V 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道碳化硅MOSFET具備63A的漏極電流能力與650V的漏源耐壓,導通電阻為58mΩ,可在柵源電壓-10V至@5V范圍內正常工作。其結構利用碳化硅材料優勢,在高頻開關條件下保持較低的導通與開關損耗,適用于高效率電源系統、可再生能源轉換裝置及各類緊湊型電力電子設備。低RDS(on)有助于減少發熱,提升長時間運行的穩定性,寬VGS范圍則增強了與不同驅動電路的適配能力。

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