TK042N65Z5,S1F_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:44mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為70A，最大漏源電壓達(dá)650V，導(dǎo)通電阻為44mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具有低導(dǎo)通損耗和優(yōu)異的高頻開關(guān)性能，在高效率電源轉(zhuǎn)換、服務(wù)器電源、光伏逆變及儲能系統(tǒng)等應(yīng)用中可有效提升能效與功率密度。其寬柵壓范圍增強(qiáng)了驅(qū)動(dòng)電路的適應(yīng)性，并有助于改善系統(tǒng)在高溫或高負(fù)載條件下的穩(wěn)定性。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

TK042N65Z5,S1F_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:44mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:44mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢