STWA75N65DM6-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:44mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET具有70A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導通電阻低至44mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具備優異的高頻特性和高溫穩定性，適用于高效率、高頻率的電源轉換場景。其低導通損耗與快速開關特性有助于提升系統整體能效，同時簡化散熱設計。該MOSFET適合用于對功率密度和能效要求較高的電力電子應用中。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:44mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

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