TK6A65W,S5X_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:5.1A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:820mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5.1A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）為820mΩ。其柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V，支持可靠的開關控制。得益于碳化硅材料的高擊穿電場強度與優異熱導率，該器件在高頻、高效率電源拓撲中表現穩定，適用于通信電源、可再生能源轉換系統及高功率密度電源模塊等應用場合。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:5.1A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:820mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

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