RS6E122BGTB1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:150A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:1.4mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管（MOSFET）具有150A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、1.4毫歐的導通電阻（RDS(ON)），以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其極低的導通電阻有效降低導通損耗，適用于對效率和功率密度要求較高的應用場景，如高性能計算電源、大電流DC-DC轉換器及高倍率電池管理系統。器件在高負載條件下仍能保持良好的熱性能與開關特性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
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RS6E122BGTB1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:150A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:1.4mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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