DMTH6005LPSQ-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數(shù)1：ID:100A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:3.7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道MOSFET支持100A的連續(xù)漏極電流，最大漏源電壓為60V，導(dǎo)通電阻低至3.7毫歐。其極低的RDS(ON)有效減小了導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，有助于提升系統(tǒng)整體效率并降低溫升。適用于高電流電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動以及高頻開關(guān)電路等應(yīng)用場合，在需要高效能與緊湊布局的設(shè)計中可提供穩(wěn)定可靠的性能表現(xiàn)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMTH6005LPSQ-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:100A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:3.7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數(shù)1：ID:100A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:3.7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢