TK5A65DA(STA4,Q,M)_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:3.9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:1555mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，連續漏極電流（ID）為3.9A，導通電阻（RDS(on)）為1555mΩ。柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V，支持標準驅動電平并具備良好的抗過驅能力。器件基于碳化硅材料構建，在高頻開關條件下可維持較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源轉換、適配器及對體積和熱管理有嚴格要求的電子系統。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

TK5A65DA(STA4,Q,M)_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:3.9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:1555mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:3.9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:1555mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢