BSC028N06NSATMA1_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:125A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:2.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管（MOSFET）具有125A的連續漏極電流（ID）、60V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及2.4毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其極低的導通電阻有助于顯著降低導通狀態下的功率損耗，提升系統效率。高電流承載能力使其適用于大功率電源轉換、電機驅動電路及高密度電力電子裝置，在需要高效能與緊湊布局的場合中表現突出。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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BSC028N06NSATMA1_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:125A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:2.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:125A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:2.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢