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              NCE65TF360F_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：TO-220F
                                                        類別：碳化硅場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：50/管裝
                                                        參數1：ID:15A
                                                        參數2：VDSS:650V
                                                        參數3：RDON:260mR
                                                        參數4：VGS:-5~+16V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為15A，漏源電壓耐壓達650V，導通電阻為260mΩ，柵源驅動電壓范圍為-5V至!6V。基于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的開關損耗與良好的熱穩定性，適用于高效率電源轉換、光伏逆變、儲能系統及通信設備中的功率管理模塊，在緊湊型電源設計中可有效提升整體能效與功率密度。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式