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              NVMFS6B05NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：DFN5X6-8L
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：5000/圓盤
                                                        參數1：ID:75A
                                                        參數2：VDSS:100V
                                                        參數3：RDON:6.4mR
                                                        參數4：TYPE:N-ch
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道場效應管（MOSFET）具有75A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至6.4毫歐。器件在高電流負載下仍能保持較低的導通損耗，適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉換與開關應用場景。其低RDS(ON)特性有助于減少功率耗散，提升系統整體能效，同時支持高頻開關操作，適合用于各類緊湊型、高密度的電子電路設計中。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式