MSJU11N65A-TP_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管具備650V的漏源耐壓（VDSS）和15A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）低至260mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保了可靠的開關(guān)控制與驅(qū)動(dòng)兼容性。采用寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅，具備優(yōu)異的高溫工作性能與開關(guān)特性，適用于高功率密度、高頻開關(guān)電源系統(tǒng)，如高效能交直流轉(zhuǎn)換模塊、可再生能源發(fā)電設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)單元以及高要求的電力變換裝置。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國(guó)際大廈2013-2014

MSJU11N65A-TP_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢