FDD5N50FTM_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:5A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道場效應管（MOSFET）具有500V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5A的連續(xù)漏極電流（ID），在導通狀態(tài)下其導通電阻（RDS(ON)）為1300毫歐。器件采用標準結(jié)構(gòu)設(shè)計，適用于中等功率開關(guān)場景，能夠在較高電壓條件下穩(wěn)定工作。其電氣參數(shù)適合用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器及各類電子負載控制電路中，具備良好的開關(guān)特性和熱穩(wěn)定性，可滿足對電壓耐受能力和電流承載能力有一定要求的應用需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDD5N50FTM_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:5A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:5A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢