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              NTMFS4C029NT3G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：DFN5X6-8L
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：5000/圓盤
                                                        參數1：ID:80A
                                                        參數2：VDSS:30V
                                                        參數3：RDON:4.7mR
                                                        參數4：VGS:20V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道MOSFET具有80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在導通狀態下展現出低至4.7毫歐的導通電阻（RDS(ON)），柵源驅動電壓（VGS）最高可達20V。器件適用于對導通損耗敏感的高效率電源轉換場合，其低阻抗特性有助于減少發熱并提升系統整體能效。由于具備較高的電流承載能力和穩定的電氣參數，可廣泛用于各類開關電源、電池管理系統及功率控制模塊中。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式