RS1E300GNTB-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數(shù)1：ID:150A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:1.4mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有150A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、1.4mΩ的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其極低的導(dǎo)通電阻顯著降低導(dǎo)通損耗，適用于大電流、高效率要求的電源管理與功率轉(zhuǎn)換場景。器件在高負載條件下具備良好的熱穩(wěn)定性和開關(guān)響應(yīng)能力，適合用于對功率密度和能效有嚴格要求的電子系統(tǒng)中，如高性能計算設(shè)備、服務(wù)器電源及大功率電機驅(qū)動等應(yīng)用。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

RS1E300GNTB-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:150A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:1.4mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數(shù)1：ID:150A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:1.4mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢