STF9N65M2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:5.1A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:820mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，連續漏極電流（ID）為5.1A，導通電阻（RDS(ON)）為820mΩ。柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V，支持較寬的驅動電平。器件基于碳化硅材料，具備較高的開關速度與熱穩定性，適用于高效率、高頻率的電源轉換系統，如開關電源、光伏逆變器及各類高效能電能管理模塊，在注重體積緊湊與能效優化的設計中表現良好。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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STF9N65M2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:5.1A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:820mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:5.1A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:820mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢