TK35N65W,S1F_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:36A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為36A，漏源電壓耐受能力達650V，導(dǎo)通電阻典型值為75mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料構(gòu)建，具備優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和開關(guān)特性，在高頻電源轉(zhuǎn)換、高效率功率調(diào)節(jié)及緊湊型電力電子系統(tǒng)中可實現(xiàn)低損耗運行。其電氣參數(shù)組合適合對體積與能效有較高要求的應(yīng)用場景。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

TK35N65W,S1F_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:36A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

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