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              IMBG65R048M1HXTMA1-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：TO-263-7L
                                                        類別：碳化硅場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：800/圓盤
                                                        參數1：ID:70A
                                                        參數2：VDSS:650V
                                                        參數3：RDON:36mR
                                                        參數4：VGS:-8/+20V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道碳化硅MOSFET具有70A的漏極電流能力，650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為36mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關過程中表現出較低的開關損耗和良好的熱穩定性，適用于高效率電源、可再生能源轉換系統以及對體積和散熱有較高要求的電力電子裝置。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式