RM15N650T1_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為20A，漏源電壓耐受能力達(dá)650V，導(dǎo)通電阻為160mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-5V至!6V。器件基于碳化硅工藝，具備低開(kāi)關(guān)損耗與高工作結(jié)溫特性，適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、光伏逆變系統(tǒng)、不間斷電源及各類高效電能轉(zhuǎn)換場(chǎng)合。其電氣參數(shù)支持在嚴(yán)苛電路條件下穩(wěn)定運(yùn)行，同時(shí)有助于提升系統(tǒng)整體效率與功率密度。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

RM15N650T1_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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