APT2X21DC60J-HXY_SOT-227_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-227 類別：碳化硅二極管最小包裝：13/管裝參數(shù)1：IF:250A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.4V 參數(shù)4：IR:100uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該碳化硅二極管額定正向電流為250A，反向重復(fù)峰值電壓達(dá)650V，正向壓降為1.4V，反向漏電流僅為100μA，表現(xiàn)出低導(dǎo)通損耗與高阻斷能力。其浪涌正向電流承受能力高達(dá)600A，適用于高頻、高效率的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，在需要快速開(kāi)關(guān)和良好熱穩(wěn)定性的場(chǎng)合中可有效提升整體性能。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

APT2X21DC60J-HXY_SOT-227_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-227 類別：碳化硅二極管 最小包裝：13/管裝 參數(shù)1：IF:250A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.4V 參數(shù)4：IR:100uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-227 類別：碳化硅二極管最小包裝：13/管裝參數(shù)1：IF:250A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.4V 參數(shù)4：IR:100uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢