C3D200065FB1_module-FB_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：module-FB 類別：碳化硅二極管最小包裝：16/托盤參數1：IF:200A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.5V 參數4：IR:5uA 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

該碳化硅二極管額定持續正向電流（IF）為200A，反向重復峰值電壓（VR）達650V，可在高電壓環境下穩定運行。其正向導通壓降（VF）典型值為1.5V，有效降低導通損耗；反向漏電流（IR）僅為5μA，體現優良的關斷阻斷能力。器件具備1200A的非重復浪涌電流（IFSM）承受能力，適用于瞬態電流較大的工況。得益于碳化硅材料的特性，該器件具有快速恢復響應和高熱穩定性，廣泛用于高效直流電源、高壓整流模塊、儲能系統中的功率因數校正及高頻逆變裝置等對能效和可靠性要求較高的電力電子電路中。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

C3D200065FB1_module-FB_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：module-FB 類別：碳化硅二極管 最小包裝：16/托盤 參數1：IF:200A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.5V 參數4：IR:5uA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：module-FB 類別：碳化硅二極管最小包裝：16/托盤參數1：IF:200A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.5V 參數4：IR:5uA 標價：歡迎咨詢