STW88N65M5-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET具備99A的連續漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導通電阻為26mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高擊穿電場和高熱導率特性，在高頻開關應用中可顯著降低導通與開關損耗。適用于對效率、體積和散熱性能有較高要求的電源轉換系統，如服務器電源、光伏逆變器及高密度電力變換模塊。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢