SICW060N065H-BP-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:55A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:58mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅MOSFET具有55A的連續(xù)漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導(dǎo)通電阻典型值為58mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料的高擊穿電場強(qiáng)度與優(yōu)異熱導(dǎo)率，器件在高頻開關(guān)應(yīng)用中可顯著降低能量損耗，并支持更高結(jié)溫運(yùn)行。適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及大功率充電設(shè)備等場景，能夠在緊湊布局下維持穩(wěn)定電氣性能。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

SICW060N065H-BP-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:55A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:58mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:55A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:58mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢