IPZA60R045P7XKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:45mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET具備55A的漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導通電阻為45mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。其結構利用碳化硅材料的高擊穿場強與低導通損耗特性，在高頻開關應用中表現出優異的效率和熱性能。適用于對功率密度和能效要求較高的電源轉換系統、服務器供電架構以及可再生能源相關設備中的功率調節環節。寬柵壓范圍增強了驅動電路的適應性，同時有助于提升系統穩定性。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:45mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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