NTD4302G_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道MOSFET具有60A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至7毫歐。器件采用標(biāo)準(zhǔn)封裝結(jié)構(gòu)，適用于對導(dǎo)通損耗和效率要求較高的電源管理場景。其低RDS(ON)特性有助于減少發(fā)熱，提升系統(tǒng)整體能效，在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出良好的動(dòng)態(tài)性能。由于具備較高的電流承載能力和較低的導(dǎo)通壓降，該MOSFET可廣泛用于各類直流轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)及功率控制模塊中。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NTD4302G_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢