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              TPH6R003NL,LQ_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：DFN5X6-8L
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：5000/圓盤
                                                        參數1：ID:80A
                                                        參數2：VDSS:30V
                                                        參數3：RDON:4.7mR
                                                        參數4：VGS:20V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道MOSFET具有80A的連續漏極電流，最大漏源電壓為30V，導通電阻為4.7毫歐，柵源驅動電壓最高可達20V。其低導通電阻有助于降低導通狀態下的功率損耗，適用于高效率、大電流的開關應用場景。器件在電源轉換、電機控制及各類高密度電子系統中可提供穩定的性能表現，適合對熱管理和電氣效率有較高要求的設計。
                              
              
            
              
            
              
                
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