STF11N65M5_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:7.1A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:410mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

分享到

產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，連續(xù)漏極電流（ID）達(dá)7.1A，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為410mΩ。其柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V，支持寬泛的驅(qū)動(dòng)條件并具備良好的抗誤觸發(fā)能力。器件利用碳化硅材料優(yōu)勢(shì)，在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中展現(xiàn)出低損耗與高效率特性，適用于高功率密度電源、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)及各類(lèi)高效電力電子設(shè)備。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話(huà)：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

STF11N65M5_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:7.1A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:410mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:7.1A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:410mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)