V30M100M-E3/4W-HXY_TO-220C_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：肖特基二極管最小包裝：50/管裝參數1：IF:30A 參數2：VR:100V 參數3：VF:0.8V 參數4：IR:100uA 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該肖特基二極管采用1對共陰極配置，具備30A的平均正向電流（IF）和100V的反向重復峰值電壓（VR）。其正向壓降（VF）為0.8V，在高電流工作時仍能維持較低的導通損耗；反向漏電流（IR）為100μA，體現出良好的反向阻斷特性。器件可承受高達250A的非重復浪涌正向電流（IFSM），適用于高頻整流、開關電源輸出端以及需要雙通道同步續流功能的電路結構中。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

V30M100M-E3/4W-HXY_TO-220C_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：肖特基二極管 最小包裝：50/管裝 參數1：IF:30A 參數2：VR:100V 參數3：VF:0.8V 參數4：IR:100uA 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：肖特基二極管最小包裝：50/管裝參數1：IF:30A 參數2：VR:100V 參數3：VF:0.8V 參數4：IR:100uA 標價：歡迎咨詢