IXFY8N65X2-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:9.3A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:410mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該碳化硅場效應管為N溝道結構，額定漏極電流ID為9.3A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導通電阻RDS(ON)為410mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具有較高的耐壓能力和良好的開關性能，適用于中低功率的高效電源轉換場合。其較寬的柵極驅動電壓范圍增強了與不同驅動電路的適配性，而明確的電氣參數有助于在緊湊型設計中實現穩定可靠的開關操作。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IXFY8N65X2-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:9.3A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:410mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:9.3A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:410mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢