NVMFS4C308NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至4.3毫歐，在柵源電壓（VGS）為20V時可實現高效導通。其低導通電阻有助于減少功率損耗，提升系統能效，適用于對電流承載能力和開關效率要求較高的電源管理、電機驅動及各類高密度功率轉換場景。器件結構設計支持快速開關特性，適合高頻操作環(huán)境下的穩(wěn)定運行。

企業(yè)聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NVMFS4C308NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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