TPD65R360M_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET具備15A的漏極電流能力與650V的漏源耐壓，導通電阻為260mΩ，柵源電壓工作范圍為-5V至!6V。得益于碳化硅材料的高擊穿場強和優異熱導率，器件在高頻開關應用中可顯著降低導通及開關損耗，適用于高效率、高功率密度的電源轉換系統。其負向柵壓容限有助于增強關斷可靠性，提升在復雜電路環境中的穩定性。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

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TPD65R360M_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢