FDD5N50FTM-WS-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:5A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:1300mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道MOSFET具備500V的漏源擊穿電壓（VDSS），在指定柵源驅動條件下導通電阻（RDS(ON)）為1300mΩ，連續漏極電流（ID）額定值為5A。由于其較高的耐壓能力與適中的電流承載水平，適用于對電壓應力要求較高的中小功率開關應用，例如電源適配器、照明驅動及各類通用電子設備中的功率控制環節。器件在保證安全工作區的同時，可滿足多種電路拓撲對高側或低側開關的需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
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FDD5N50FTM-WS-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:1300mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:5A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:1300mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢