RJK03M9DNS-00#J5-HXY_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數(shù)1：ID:30A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:9mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有30A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為9毫歐。其較低的導(dǎo)通電阻有助于在高電流工作時減少功率損耗，提升整體能效。適用于開關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)、電動工具驅(qū)動以及各類中等功率的直流-直流轉(zhuǎn)換電路。器件結(jié)構(gòu)設(shè)計支持良好的熱穩(wěn)定性和快速開關(guān)特性，適合對效率和空間有明確要求的電子系統(tǒng)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

RJK03M9DNS-00#J5-HXY_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:30A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:9mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數(shù)1：ID:30A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:9mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢