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              TSM85N10CZ C0G_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220C 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數1:ID:70A 參數2:VDSS:100V 參數3:RDON:8.5mR 參數4:VGS:20V 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道MOSFET具有70A的連續漏極電流(ID)、100V的漏源擊穿電壓(VDSS)、8.5毫歐的導通電阻(RDS(ON)),以及20V的最大柵源電壓(VGS)。其較低的導通電阻有助于在中高電流應用中減少導通損耗,提升系統效率。器件適用于高頻開關電源、電機控制及各類需要高效功率切換的電子設備,能夠在穩定驅動條件下實現可靠的開關性能。

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