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              WML15N65C4_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220F 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數1:ID:15A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:260mR 參數4:VGS:-5~+16V 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道碳化硅MOSFET具有15A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓,導通電阻為260mΩ,在柵源電壓范圍-5V至!6V內穩定工作。憑借碳化硅材料的優異特性,器件在高頻、高溫環境下仍能保持較低的導通與開關損耗,適用于對效率和熱管理要求較高的電源轉換場景。其低RDS(ON)有助于減小導通功耗,提升系統整體能效,同時寬VGS范圍增強了驅動兼容性與控制靈活性。

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