MSJU11N65-TP_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的額定漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）為260mΩ，在高溫與高電壓工況下仍能保持優(yōu)異的導(dǎo)電性能。柵源電壓范圍-5V至!6V，支持可靠驅(qū)動與穩(wěn)定開關(guān)操作。基于碳化硅材料的高熱導(dǎo)率與耐壓特性，該器件適用于高頻率、高效率的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如高效電源適配器、儲能系統(tǒng)中的能量變換模塊、直流電源供應(yīng)單元及新能源發(fā)電中的功率調(diào)節(jié)裝置，適合對功率密度和系統(tǒng)效率有嚴(yán)苛要求的應(yīng)用場景。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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