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              ASA60R330E_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220F 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數1:ID:15A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:260mR 參數4:VGS:-5~+16V 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為15A,漏源電壓耐受能力達650V,導通電阻為260mΩ,柵源驅動電壓范圍為-5V至!6V。器件基于碳化硅材料,具備低導通損耗與優異的高頻開關特性,適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及緊湊型電力電子設備。其寬柵壓范圍增強了驅動兼容性,同時在高溫環境下仍能保持穩定電氣性能。

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