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              SIR4602LDP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:65A 參數2:VDSS:60V 參數3:RDON:8mR 參數4:VGS:20V 標價:歡迎咨詢

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              產品介紹

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              該N溝道MOSFET具有65A的連續漏極電流能力,最大漏源電壓為60V,導通電阻為8毫歐,柵源電壓額定值為20V。其較低的導通電阻有助于減小導通損耗,在高電流工作條件下仍能維持良好的熱性能。適用于電源轉換、電機驅動及高效率開關電路等場景,尤其在需要兼顧功耗與空間布局的電子系統中表現穩定可靠。

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