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              DMTH10H009LPS-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:75A 參數2:VDSS:100V 參數3:RDON:6.4mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道MOSFET具有75A的連續漏極電流能力,最大漏源電壓為100V,導通電阻僅為6.4毫歐。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗,提升整體能效。器件適用于高效率電源轉換、電機驅動以及高頻開關電路等場合,在大電流工作條件下仍能保持良好的熱穩定性和開關性能,滿足對緊湊布局和高功率密度有要求的電子系統設計需求。

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