IPD65R1K0CEAUMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:11A 參數(shù)2：VDSS:900V 參數(shù)3：RDON:712mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅MOSFET具備900V的漏源擊穿電壓（VDSS）和11A的連續(xù)漏極電流能力，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為712mΩ。柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V，確保器件在多種驅(qū)動條件下穩(wěn)定工作。得益于碳化硅材料的物理特性，該器件在高頻開關(guān)操作中展現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如服務(wù)器電源、可再生能源逆變器及高頻DC-DC變換器等場合。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPD65R1K0CEAUMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:11A 參數(shù)2：VDSS:900V 參數(shù)3：RDON:712mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:11A 參數(shù)2：VDSS:900V 參數(shù)3：RDON:712mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢