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              TPA65R360M_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220F 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數1:ID:15A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:260mR 參數4:VGS:-5~+16V 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道碳化硅MOSFET具有15A的連續漏極電流與650V的漏源擊穿電壓,導通電阻為260mΩ,在柵源電壓范圍-5V至!6V內穩定工作。器件基于碳化硅材料,具備優異的高頻特性和高溫穩定性,適用于高效率電源轉換、開關模式電源及各類電力電子系統中,可有效降低開關損耗并提升整體能效表現。

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