TK095N65Z5,S1F_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:36A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅MOSFET具有36A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻為75mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V內(nèi)穩(wěn)定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻、高效率應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出較低的開(kāi)關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗，適用于對(duì)能效和熱管理要求較高的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其電氣參數(shù)組合使其能夠在緊湊型電源設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的性能表現(xiàn)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:36A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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