IPZ60R037P7XKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該碳化硅場效應管為N溝道結構，最大漏極電流ID達99A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導通電阻RDS(ON)低至26mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件具備高耐壓與低導通損耗特性，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉換場景，可在高頻開關條件下保持穩定性能，適合用于各類高效電源系統及能量變換裝置中。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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