IPW60R099CPFKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:38A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:95mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET支持38A的連續(xù)漏極電流，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻低至95mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V。憑借碳化硅材料的特性，器件在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性。適用于對(duì)能效和緊湊布局有較高要求的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，可在高工作頻率下維持高效運(yùn)行。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

IPW60R099CPFKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:38A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:95mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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