FF06100J-7-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤參數1：ID:31A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET具有31A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，實現低導通損耗與高速開關能力，適用于高效率電源、可再生能源轉換系統及緊湊型電力電子設備。其寬柵壓范圍增強了驅動電路的適應性，并在高溫條件下維持可靠的電氣性能。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:31A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤參數1：ID:31A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢