NVBG110N65S3F-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤參數1：ID:31A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET具有31A的漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導通電阻為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開關條件下表現出較低的開關損耗與良好的熱穩定性。適用于對效率和功率密度要求較高的電源系統，可在高電壓、大電流環境下實現穩定運行，同時其寬柵壓范圍有助于適配多種驅動電路設計。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:31A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤參數1：ID:31A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢