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              STWA65N045M9-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:ID:70A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:44mR 參數4:VGS:-8/+20V 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道碳化硅MOSFET具備70A的連續漏極電流、650V的漏源擊穿電壓,導通電阻為44mΩ,柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高擊穿電場和高熱導率特性,在高頻開關應用中可顯著降低導通與開關損耗,提升系統整體效率。適用于高功率密度電源、可再生能源逆變系統及對能效和熱管理要求較高的電力電子設備。

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